MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
MOS管漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，直接受耗盡層電場的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID。除了以上產(chǎn)品外，公司同時(shí)還供應(yīng)有三端穩(wěn)壓芯片、穩(wěn)壓管等產(chǎn)品，我們公司具備有*實(shí)戰(zhàn)的技術(shù),專業(yè)的運(yùn)營團(tuán)隊(duì),為您創(chuàng)造以用戶體驗(yàn)為前提的服務(wù)，服務(wù)的至善至美是我們永無止境的追求。因?yàn)橐悦駷楸?，所以值得信賴；因?yàn)閷I(yè)專職，所以值得選擇.以上信息僅供參考，詳情請致電相關(guān)工作人員為您解答。
