MOS管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱MOS管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓操控型半導(dǎo)體器件。具有傳入電阻高（10^7~10^12Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、**工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
MOS管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)
1.MOS管的源極s、柵極g、漏極d分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。
2.MOS管是電壓操控電流器件，由vGS操控iD,其擴(kuò)大系數(shù)gm一般較小，因此MOS管的擴(kuò)大能力較差；三極管是電流操控電流器件，由iB（或iE）操控iC.
MOS管
3.MOS管柵極幾乎不取電流（ig ?0）；而三極管工作時(shí)基極總要吸取一定的電流。因此MOS管的柵極傳入電阻比三極管的傳入電阻高。
4.MOS管是由多子參與導(dǎo)電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導(dǎo)電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而MOS管比晶體管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用MOS管。
5.MOS管在源極金屬與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí)，其特性差異很大，β值將減小很多。
6.MOS管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲擴(kuò)大電路的傳入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用MOS管。
7.MOS管和三極管均可組成各種擴(kuò)大電路和開關(guān)電路，但由于前者制造工藝簡(jiǎn)單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，因而被廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。
8.三極管導(dǎo)通電阻大，MOS管導(dǎo)通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現(xiàn)用電器件上，一般都用MOS管做開關(guān)來(lái)用，他的效率是比較高的。
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